Elemento | Propiedade técnica | ||
Criptón de alta pureza GB/T5829-2006 | Criptón ultrapuro | ||
Pureza do Kr (fracción volumétrica)/10-2≥ | 99.999 | 99,9995 | 99,9999 |
Nitróxeno (N2) contido (fracción volumétrica)/10-6≤ | 2 | 1,5 | 0,2 |
Osíxeno (O2) contido (fracción volumétrica)/10-6≤ | 1,5 (O2+Ar) | 0,5 (O2+Ar) | 0,1 |
Contido de argón (Ar) (fracción volumétrica)/10-6≤ | 0,05 | ||
Hidróxeno (H2) contido (fracción volumétrica)/10-6≤ | 0,5 | 0,2 | 0,05 |
Contido de monóxido de carbono (CO) (fracción volumétrica)/10-6≤ | 0,3 | 0,1 | 0,05 |
dióxido de carbono (CO2) contido (fracción volumétrica)/10-6≤ | 0,4 | 0,1 | 0,05 |
Metano (CH4) contido (fracción volumétrica)/10-6≤ | 0,3 | 0,1 | 0,05 |
Auga (H2contido de O) (fracción volumétrica)/10-6≤ | 2 | 1 | 0,2 |
Contido de xenón (Xe) (fracción volumétrica)/10-6≤ | 2 | 1 | 0,2 |
Fluoruro (CF4) contido (fracción volumétrica)/10-6≤ | 1 | 0,2 | 0,05 |
Campo de aplicación: úsase principalmente na industria de semicondutores, na industria do baleiro eléctrico, na industria de fontes de luz eléctrica, así como en gas láser, saúde médica e outros campos